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SK하이닉스㈜

SK그룹 전기·전자·제어

기업정보

기업정보

SK하이닉스㈜는 1949년에 설립된 회사로 자본금 3조6,576억5,200만원, 매출액 29조7,189억3,900만원, 사원수 24,722명 규모이며 한국인터넷전문가협회에서 주관한 웹 어워드 코리아 2014 수상기업입니다. 경기 이천시 부발읍에 위치하고 있으며, 메모리 - DRAM, SRAM, FLASH MEMORY ,SYSTEM IC - SMS (F0undry)Business , Standard Product Business사업을 하고 있습니다.

  • 29조 7,189억 3,900만원

    매출액

  • 설립 69년차

    1949년 10월 15일

  • 24,722명

    사원수

  • 대기업

    기업형태

대표자
박성욱
설립일
1949년 10월 15일 (69년차)
사원수
24,722명 재직중
자본금
3조 6,576억 5,200만원
매출액
29조 7,189억 3,900만원
당기순이익
10조 1,107억 9,700만원
산업(업종)
발광 다이오드 제조업
주요사업
반도체,컴퓨터,통신기기 제조,도매
홈페이지
www.skhynix.com

이 기업에 입사해야 하는 이유

  • 관심기업으로 5,499명 이상 찜한 선망받는 기업
  • 적극적으로 인재를 채용하기 위한 서비스 이용 중 - 연락 올 확률 높음!
  • 1000대기업 (2011년 매출액 기준)에 해당하는 우량기업
  • 설립 69년차 안정된 회사
  • 한국인터넷전문가협회에서 주관하는 어워드 수상기업!
  • 대기업
  • 지원자의 실제 역량을 중요시하는 열린 채용 실시! (포트폴리오 검토)
  • 4대보험 가입정보 - 국민연금, 건강보험, 고용보험, 산재보험

재무현황

업계 상위 1위
반도체 제조업
매출액
29,718,939
단위 : 백만원
당기 순이익
10,110,797
단위 : 백만원
결산연월
2017년 12월

매출액 (백만원)

  • 2014
  • 2015
  • 2016
  • 2017

당기순이익 (백만원)

  • 2014
  • 2015
  • 2016
  • 2017

기업위치

경기 이천시 부발읍 아미리 산 136-1

지도는 근무지 위치를 나타내며 회사 소재지와 일치하지 않을 수 있습니다.

기업 History

기업연혁
  • 1949.10.15
    국도건설(주) 설립
  • 1983.02.23
    상호 변경 : 현대전자산업(주)
  • 1983.10.07
    현대전자공장 가동
  • 1984.10.05
    반도체 1공장,산업전자,정보공장 가준공
  • 1985.07.31
    256KDRAM,IMDRAM,256KSRAM 기술도입인가
  • 1985.11.01
    CMOS 256KDRAM 시제품 개발
  • 1986.10.10
    이천공장 종합준공식
  • 1988.01
    IM DRAM 개발성공
  • 1988.06
    PC부문 미정부 공식 납품업체 자격획득
  • 1989.09
    반도체 4M DRAM 개발
  • 1989.12
    CAMERA 생산개시
  • 1991.03
    반도체 16M DRAM 개발성공, PC부문 미정부 공식 납품업체 자격획득
  • 1992.09.29
    반도체 64M DRAM 개발
  • 1993.03
    뉴미디어 (디지털가전)사업 착수
  • 1993.10
    인공위성사업 본격 추진
  • 1995.04.01
    세계 최초 MPEG2 SAVI 디코더칩 개발
  • 1995.06
    미국 개인휴대통신 (PCS)사업참여
  • 1995.08.01
    미국 정부 Workstation 납품업체 선정
  • 1995.09
    국내 최초 386CPU CHIP개발
  • 1995.10
    세계 최초 256M SDRAM 개발
  • 1995.12
    국내 10대 제조업체인 진입
  • 1996.02
    미국 오레건주 반도체공장(HSA) 착공
  • 1996.07
    반도체 제7공장 준공및 생산가동
  • 1996.08
    인도 위성통신사업 본격 참여
  • 1996.09
    대만 위성통신서비스사업 참여
  • 1996.10
    영국 스코틀랜드 반도체공장 설치
  • 1996.12
    기업공개 및 상장, TFT-LCD공장 준공 및 생산가동
  • 1997.03
    뉴질랜드 위성통신서비스사업 참여, 대표이사 변경 : 김영환
  • 1997.05
    SOI 기술을 이용한 1기가 싱크로너스 DRAM 개발
  • 1997.09
    중국대련 HDD공장 착공
  • 1997.11
    세계최초 싱크링크 DRAM 시제품 개발
  • 1997.12
    국내최초 디지털 HDTV방송시스템 개발, 64M DRAM 월산 500만개 생산체제 구축
  • 1998.02
    국내최초 자동차용 비메모리 반도체 개발
  • 1998.02
    26인치 PDP 독자개발, 세계 최초 초고속 64M SDRAM 양산 성공
  • 1998.03
    MPEG-4 핵심기술 국제표준안 채택
  • 1998.04
    미국내 반도체 디자인회사 설립, 순수 국내기술 '음성인식' PCS 단말기 출시
  • 1998.05
    미국 오레건주 유진 반도체공장 준공
  • 1998.08
    MAXTOR(HDD제조공급) 나스닥 상장
  • 1998.09
    차세대 메모리 FeRAM개발, 세계 최소형 Direct Rambus DRAM개발
  • 1998.09
    64M DDR 싱크로너스 DRAM 개발
  • 1998.10
    4세대 64M 싱크로너스 DRAM 개발
  • 1998.11
    세계 최고속 128M SDRAM 양산
  • 1998.12
    세계 최초 4기가 D램용 감광제 양산 기술화 성공및 기술수출
  • 1998.12
    0.25um 비메모리 제조기술 개발
  • 1999.02
    국내최초 MP3 디코더 칩 생산
  • 1999.06
    세계 최고속 그래픽용 16M 싱크로너스 D램 양산
  • 1999.10
    현대반도체(주) 흡수합병
  • 1999.11
    세계최초로 신메모리 공정기술 개발
  • 1999.11
    19"모니터, 독일 PC전문지로부터 최우수 모니터 선정
  • 1999.12
    국내 대형 제조업체중 최초로 스톡옵션제 시행
  • 2000.02
    미 인텔사로부터 '인텔 개발자 회의'에서 CMTL상 수상
  • 2000.03
    세계 최소형 256메가 싱크로너스 D램 사용제품 개발
  • 2000.04
    MPEG-4/7기술 국제 표준 작업에 채택, 배터리 충전기용 MCU 개발 양산
  • 2000.05
    세계 최초로 메모리카드용 USB IC 'Music Charger' 개발
  • 2000.05
    국내 최초 ADSL 시스템 수출개시
  • 2000.06
    차세대 고성능 18.1인치 TFT-LCD 개발 양산
  • 2000.07
    '글로벌 자금관리 시스템' 운용개시
  • 2000.08
    신기능 15.0/18.1인치 TFT-LCD 모듈 개발
  • 2000.08
    새슬로건 "Human & Digital"선포, PDP사업부문 분사
  • 2000.10
    전사적 자원관리 시스템(ERP) 본격 가동
  • 2000.10
    인도 CDMA WLL 장비시장 진출, 가정의 날 휴가제조 시행
  • 2000.12
    초소형 256MB 반도체 모듈 개발
  • 2001.01
    초고속 512메가 DDR SDRAM 개발
  • 2001.03
    상호 변경 : (주)하이닉스반도체
  • 2001.04
    그래픽용 세계 최고속 DDR SD램 양산
  • 2001.05
    통신단말기 사업부문 "현대큐리텔"로 분사, 1메가 강유전체 메모리 (FeRAM) 개발
  • 2001.05
    통신네크워크 사업부문 " 현대네트웍스"로 분사
  • 2001.06
    국내외 대규모 GDR 발행 성공
  • 2001.07
    LCD 사업부문 "현대디스플레이테크놀로지"로 분사
  • 2001.07
    통신 ADSL 사업부문 "현대시스콤"으로 분사
  • 2001.10
    카오디오용 8비트 MCU 개발/양산 돌입
  • 2001.10
    0.10미크론급 512메가 DDR 개발
  • 2001.12
    그래픽용 128M DDR SDRAM 세계 최초 출시
  • 2002.03
    1기가 DDR D램 모듈 출시
  • 2002.05
    대표이사 변경 : 박상호
  • 2002.06
    고성능 정보가전용 256메가 SD램 최초 출시
  • 2002.07
    블루투스 '임베디드 플래시 베이스밴츠침' 개발, 우의제 대표이사 선임
  • 2002.08
    그래픽 메모리용 초고속 256메가 DDR SD램 최초 출시
  • 2002.08
    메모리 모듈 국내 판매 사이트 오픈
  • 2002.12
    그래픽 메모리용 초고속 128메가 DDR SD램 출시-
  • 2002.12
    -메인 및 그래픽 메모리용 초고속256메가 DDR SD램 출시
  • 2003.02
    대표이사 변경 : 우의제
  • 2003.03
    하이닉스반도체, 업계 최초 메가급 Fe램 상용화 기술 개발
  • 2003.03
    하이닉스반도체, CMOS 고주파 PLL 집적회로 칩 출시
  • 2003.05
    0.10미크론급 골든칩 양산기술성공 모바일용 초저전력 256메가 sd램 양산
  • 2003.06
    환경/안전/보건 기술연구소 설립
  • 2003.06
    4천96 색상 구현 유기 EL 구동 칩 출시
  • 2003.07
    초고속 256메가 DDR500 출시
  • 2003.08
    0.18미크론 고전압 공정기술 세계 최초 개발
  • 2003.08
    1기가 DDR2램 개발 성공
  • 2003.09
    셀레스티카사로부터 우수 협력업체 수상
  • 2004.02
    512Mb 낸드 플래시메모리 개발 성공
  • 2004.03
    노트북용 1GB DDR2모듈 (SODIMM)출시
  • 2004.03
    DDR2 SD램 550MHz 개발
  • 2004.06
    1Gb DDR2 고성능 서버용 4GB 모듈(RDIMM) 및 노트북용 2GB 모듈(SoDIMM) 시제품 출시
  • 2004.10
    비메모리 사업부문 영업양도 완료
  • 2005.01
    전력 소모 30%이 줄인 서버용 메모리 모듈 개발
  • 2005.04
    중국 장쑤성 우시시에 중국 현지 합작공장 착공
  • 2005.07
    채권금융기관 공동관리 조기종료
  • 2005.11
    JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발
  • 2005.12
    513Mb GDDR4(11.6GBPS) D램 개발
  • 2006.09
    300mm 연구소(R3 R&D Fab) 설립
  • 2006.12
    60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800MHz 모듈 개발
  • 2006.12
    200MHz 512Mb 모바일 DRAM 개발
  • 2007.03
    대표이사 변경 : 김종갑
  • 2007.03
    ECC회로 적용한 185HMz 512Mb 모바일 D램 개발
  • 2007.04
    청주 신규 300mm 공장 착공
  • 2007.04
    퓨전메모리 제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산
  • 2007.05
    초박형(25마이크로미터) 20단 낸드 플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
  • 2007.07
    공정거래 자율준수프로그램 도입
  • 2007.08
    200MHz 1Gb 모바일 D램 개발
  • 2007.09
    초박형(25㎛) 24단 낸드 플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
  • 2007.11
    1Gb GDDR5 개발
  • 2007.11
    '일하는 이사회'를 위한 신(新)이사회 제도 도입
  • 2008.06
    실리콘화일社 지분취득 결정 및 기존 파운드리 계약범위 확대
  • 2008.06
    중셀(X3) 기술 기반 32Gb 낸드 플래시 개발
  • 2008.12
    8단 적층 낸드플래시 개발
  • 2008.12
    54나노 2Gb 고용량 모바일 D램 개발
  • 2009.02
    44나노 DDR3 D램 개발
  • 2009.10
    2세대 1Gb DDR3 개발
  • 2009.12
    40나노 2Gb GDDR5 개발
  • 2010.01
    40나노 2Gb 모바일 DRAM 개발
  • 2010.02
    20나노급 64Gb 낸드플래시 개발
  • 2010.06
    중국 후공정 합작공장 HITECH 준공
  • 2010.12
    30나노급 4Gb DDR3 개발
  • 2011.03
    30나노급 2Gb DDR4 개발
  • 2011.03
    대표이사 변경 : 권오철
  • 2012.03
    상호 변경 : 에스케이하이닉스(주)
  • 2012.06
    낸드플래시 개발업체 아이디어플래시(Ideaflash S.r.l.) 인수
  • 2012.09
    플래시 솔루션 디자인 센터 설립
  • 2013.03
    김준호 사내이사 1인 신규 선임
  • 2013.03.01
    김준호 사내이사 1인 신규 선임
  • 2013.06
    20나노급 8Gb LPDDR3 개발
  • 2013.06
    램버스社와 포괄적 특허 라이선스 계약 체결
  • 2013.06.01
    20나노급 8Gb LPDDR3 개발
  • 2013.06.01
    램버스社와 포괄적 특허 라이선스 계약 체결
  • 2013.07
    삼성전자와 반도체 특허 크로스라이선스 계약 체결
  • 2013.07.01
    삼성전자와 반도체 특허 크로스라이선스 계약 체결
  • 2013.10
    20나노급 6Gb LPDDR3 개발
  • 2013.10.10
    20나노급 6Gb LPDDR3 개발
  • 2013.12
    20나노급 8Gb LPDDR4 개발
  • 2013.12.01
    20나노급 8Gb LPDDR4 개발
  • 2014.01
    (주)실리콘화일과 포괄적 주식교환계약
  • 2014.01.01
    (주)실리콘화일과 포괄적 주식교환계약
  • 2014.04
    20나노급 8Gb DDR4기반 128GB 모듈 개발
  • 2014.04.01
    20나노급 8Gb DDR4기반 128GB 모듈 개발
  • 2014.05
    20나노급 모바일 DRAM 저탄소 제품 인증 획득
  • 2014.05.01
    20나노급 모바일 DRAM 저탄소 제품 인증 획득
  • 2014.09
    중국 충칭 후공정 생산법인 (SKHYCQL) 준공
  • 2014.09
    차세대 와이드 IO2 모바일 DRAM 개발
  • 2014.09.01
    중국 충칭 후공정 생산법인 (SKHYCQL) 준공
  • 2014.09.01
    차세대 와이드 IO2 모바일 DRAM 개발
  • 2014.10
    최대용량 비휘발성 하이브리드 DRAM 모듈 개발
  • 2014.10.10
    최대용량 비휘발성 하이브리드 DRAM 모듈 개발
  • 2015.02
    도시바와 NIL 기술 공동 개발 계약 체결
  • 2015.02
    사업연속성경영시스템(ISO22301) 인증 획득
  • 2015.02.01
    도시바와 NIL 기술 공동 개발 계약 체결
  • 2015.02.01
    사업연속성경영시스템(ISO22301) 인증 획득
  • 2015.03
    이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
  • 2015.03.01
    이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임
  • 2015.08
    샌디스크와 특허 라이선스 연장 및 공급 계약 체결
  • 2015.08.01
    샌디스크와 특허 라이선스 연장 및 공급 계약 체결
  • 2016.10
    (주)실리콘화일과 CIS영업부문에 대한 영업양수
  • 2016.10.10
    (주)실리콘화일과 CIS영업부문에 대한 영업양수
  • 2017.01
    16Gb 기반 8GB LPDDR4X 출시
  • 2017.01.01
    16Gb 기반 8GB LPDDR4X 출시
  • 2017.04
    72단 256Gb TLC 3D 낸드플래시 개발
  • 2017.04
    20나노급 8Gb 기반 GDDR6 DRAM 개발
  • 2017.04.01
    72단 256Gb TLC 3D 낸드플래시 개발
  • 2017.04.01
    20나노급 8Gb 기반 GDDR6 DRAM 개발
  • 2017.07
    에스케이하이닉스 시스템아이씨(주)에 Foundry사업과 관련된 자산 등 포괄적 양도
  • 2017.09
    도시바 반도체 사업 지분 인수를 위한 타법인 지분 출자 결의
  • 2018.02
    72단 3D 낸드 기반 4TB 기업용 SATA SSD 및 1TB 기업용 PCIe SSD 개발
  • 2018.03
    이사 4인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임-. 이사 선임: 박성욱-. 사외이사 선임 : 송호근, 조현재, 윤태화-. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 윤태화